Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS00TS65HRC11
RGS00TS65HRC11

RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor

rgs00ts65hr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+287.33 грн
53+270.49 грн
100+269.29 грн
200+256.20 грн
900+229.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.

Інші пропозиції RGS00TS65HRC11 за ціною від 412.85 грн до 536.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS00TS65HRC11 RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor rgs00ts65hr-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+536.19 грн
28+513.15 грн
50+493.61 грн
100+459.82 грн
250+412.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65HRC11 RGS00TS65HRC11 ROHM rgs00ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65HRC11 RGS00TS65HRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS00TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65HRC11 rgs00ts65hr-e.pdf
RGS00TS65HRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+536.19 грн
28+513.15 грн
50+493.61 грн
100+459.82 грн
250+412.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65HRC11 rgs00ts65hr-e.pdf
RGS00TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65HRC11 datasheet?p=RGS00TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS00TS65HRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.