RGS00TS65HRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.10 грн |
| 5+ | 239.30 грн |
| 10+ | 234.49 грн |
| 50+ | 213.29 грн |
| 100+ | 192.76 грн |
| 250+ | 188.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS00TS65HRC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.
Інші пропозиції RGS00TS65HRC11 за ціною від 208.66 грн до 487.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RGS00TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGS00TS65HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RGS00TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RGS00TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W |
товару немає в наявності |

