Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS30NL65DHRBTL
RGS30NL65DHRBTL

RGS30NL65DHRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS30NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS30NL65DHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263L, Dauerkollektorstrom: 34A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGS30NL65DHRBTL за ціною від 160.75 грн до 468.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS30NL65DHRBTL RGS30NL65DHRBTL ROHM rgs30nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL RGS30NL65DHRBTL ROHM rgs30nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs30nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.97 грн
66+214.47 грн
100+207.19 грн
250+193.74 грн
500+174.50 грн
1000+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs30nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+468.86 грн
48+298.14 грн
59+241.64 грн
100+217.94 грн
200+200.73 грн
500+172.08 грн
1000+160.75 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL rgs30nl65dhrbtl-e.pdf
RGS30NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL rgs30nl65dhrbtl-e.pdf
RGS30NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL rgs30nl65dhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+222.97 грн
66+214.47 грн
100+207.19 грн
250+193.74 грн
500+174.50 грн
1000+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65DHRBTL rgs30nl65dhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+468.86 грн
48+298.14 грн
59+241.64 грн
100+217.94 грн
200+200.73 грн
500+172.08 грн
1000+160.75 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.