RGS30NL65DHRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 34A
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 34A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 180.74 грн |
| 500+ | 137.17 грн |
| 1000+ | 119.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS30NL65DHRBTL ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263L, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 34A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RGS30NL65DHRBTL за ціною від 119.55 грн до 404.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGS30NL65DHRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS30NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 34A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS30NL65DHRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS30NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification. |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RGS30NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RGS30NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|