Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS30NL65HRBTL
RGS30NL65HRBTL

RGS30NL65HRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS30NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS30NL65HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGS30NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263L, Dauerkollektorstrom: 34A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGS30NL65HRBTL за ціною від 132.63 грн до 387.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS30NL65HRBTL RGS30NL65HRBTL ROHM rgs30nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS30NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL RGS30NL65HRBTL ROHM rgs30nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS30NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL Rohm Semiconductor rgs30nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+185.75 грн
79+178.67 грн
100+172.61 грн
250+161.39 грн
500+145.38 грн
1000+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL Rohm Semiconductor rgs30nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.44 грн
58+247.10 грн
71+200.32 грн
100+180.44 грн
200+166.01 грн
500+141.89 грн
1000+132.63 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL rgs30nl65hrbtl-e.pdf
RGS30NL65HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL rgs30nl65hrbtl-e.pdf
RGS30NL65HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 34 A, 1.65 V, 150 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL rgs30nl65hrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+185.75 грн
79+178.67 грн
100+172.61 грн
250+161.39 грн
500+145.38 грн
1000+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30NL65HRBTL rgs30nl65hrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 34A 150W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.44 грн
58+247.10 грн
71+200.32 грн
100+180.44 грн
200+166.01 грн
500+141.89 грн
1000+132.63 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.