Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11

RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

rgs30tsx2d-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+578.25 грн
29+490.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 157 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.

Інші пропозиції RGS30TSX2DGC11 за ціною від 416.19 грн до 633.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 157 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.32 грн
10+416.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 ROHM rgs30tsx2d-e.pdf Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor rgs30tsx2d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 157 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+633.32 грн
10+416.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2DGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 rgs30tsx2d-e.pdf
RGS30TSX2DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2DGC11 rgs30tsx2d-e.pdf
RGS30TSX2DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.