Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS30TSX2GC11
RGS30TSX2GC11

RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor

rgs30tsx2-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+382.84 грн
39+366.39 грн
50+352.43 грн
100+328.32 грн
250+294.77 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Power - Max: 267 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Gate Charge: 41 nC, Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGS30TSX2GC11 за ціною від 252.02 грн до 386.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Power - Max: 267 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 41 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.09 грн
10+252.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 ROHM rgs30tsx2-e.pdf Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2GC11 datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Power - Max: 267 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 41 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.09 грн
10+252.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2GC11 datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2GC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS30TSX2GC11 rgs30tsx2-e.pdf
RGS30TSX2GC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.