Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS40NL65DHRBTL
RGS40NL65DHRBTL

RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+158.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L, Gate Charge: 28 nC, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-263L, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 177 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Grade: Automotive.

Інші пропозиції RGS40NL65DHRBTL за ціною від 167.51 грн до 507.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.64 грн
10+248.26 грн
25+234.49 грн
100+188.53 грн
250+178.02 грн
500+167.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.50 грн
58+247.69 грн
100+239.29 грн
250+223.74 грн
500+201.53 грн
1000+188.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+507.99 грн
34+425.48 грн
50+401.91 грн
100+331.87 грн
500+262.03 грн
1000+206.09 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.64 грн
10+248.26 грн
25+234.49 грн
100+188.53 грн
250+178.02 грн
500+167.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+257.50 грн
58+247.69 грн
100+239.29 грн
250+223.74 грн
500+201.53 грн
1000+188.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+507.99 грн
34+425.48 грн
50+401.91 грн
100+331.87 грн
500+262.03 грн
1000+206.09 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.