RGS40NL65DHRBTL

RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 177 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS40NL65DHRBTL за ціною від 145.84 грн до 445.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+212.47 грн
500+162.71 грн
1000+145.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.06 грн
10+261.52 грн
25+247.01 грн
100+198.60 грн
250+187.53 грн
500+176.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+430.87 грн
10+299.67 грн
100+212.47 грн
500+162.71 грн
1000+145.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.47 грн
10+305.46 грн
25+229.40 грн
100+188.65 грн
250+168.28 грн
500+156.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.67 грн
58+214.19 грн
100+206.92 грн
250+193.48 грн
500+174.27 грн
1000+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+439.28 грн
34+367.93 грн
50+347.55 грн
100+286.98 грн
500+226.59 грн
1000+178.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.