Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS40NL65DHRBTL
RGS40NL65DHRBTL

RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+148.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO-263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 177 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS40NL65DHRBTL за ціною від 138.53 грн до 440.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.25 грн
48+299.79 грн
50+288.38 грн
100+268.64 грн
250+241.20 грн
500+225.25 грн
1000+219.74 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+379.66 грн
10+268.04 грн
100+167.84 грн
500+162.71 грн
1000+138.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.78 грн
10+322.54 грн
100+239.41 грн
500+222.59 грн
1000+182.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.78 грн
45+322.54 грн
100+239.41 грн
500+222.59 грн
1000+182.32 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Unclassified
Description: RGS40NL65DHRBTL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+266.33 грн
30+207.60 грн
50+199.33 грн
100+193.54 грн
300+170.38 грн
500+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+313.25 грн
48+299.79 грн
50+288.38 грн
100+268.64 грн
250+241.20 грн
500+225.25 грн
1000+219.74 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.66 грн
10+268.04 грн
100+167.84 грн
500+162.71 грн
1000+138.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+440.78 грн
10+322.54 грн
100+239.41 грн
500+222.59 грн
1000+182.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+440.78 грн
45+322.54 грн
100+239.41 грн
500+222.59 грн
1000+182.32 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL rgs40nl65dhrbtl-e.pdf
RGS40NL65DHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Unclassified
Description: RGS40NL65DHRBTL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+266.33 грн
30+207.60 грн
50+199.33 грн
100+193.54 грн
300+170.38 грн
500+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.