RGS40NL65DHRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 159.02 грн |
| 500+ | 143.14 грн |
| 1000+ | 123.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS40NL65DHRBTL ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 177 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RGS40NL65DHRBTL за ціною від 123.09 грн до 501.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS40NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 177 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGS40NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 177 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGS40NL65DHRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 177W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 42A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS40NL65DHRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification. |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RGS40NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RGS40NL65DHRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|