RGS40NL65DHRBTL

RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+162.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 177 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS40NL65DHRBTL за ціною від 142.18 грн до 438.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+207.15 грн
500+158.63 грн
1000+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.94 грн
10+254.96 грн
25+240.81 грн
100+193.62 грн
250+182.82 грн
500+172.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.07 грн
10+292.15 грн
100+207.15 грн
500+158.63 грн
1000+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.30 грн
10+297.80 грн
25+223.65 грн
100+183.92 грн
250+164.06 грн
500+153.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.13 грн
58+213.67 грн
100+206.42 грн
250+193.01 грн
500+173.85 грн
1000+162.82 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+438.22 грн
34+367.05 грн
50+346.71 грн
100+286.29 грн
500+226.05 грн
1000+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.