Продукція > ROHM > RGS50NL65DHRBTL
RGS50NL65DHRBTL

RGS50NL65DHRBTL ROHM

rgs50nl65dhrbtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+235.14 грн
500+214.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS50NL65DHRBTL ROHM

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns, Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 31 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 206 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS50NL65DHRBTL за ціною від 154.56 грн до 486.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS50NL65DHRBTL RGS50NL65DHRBTL Виробник : ROHM rgs50nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+485.95 грн
10+327.45 грн
100+235.14 грн
500+214.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTL RGS50NL65DHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.37 грн
10+332.11 грн
25+249.98 грн
100+205.73 грн
250+183.99 грн
500+173.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs50nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+316.75 грн
42+303.14 грн
50+291.59 грн
100+271.64 грн
250+243.88 грн
500+227.76 грн
1000+222.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs50nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+348.21 грн
43+295.36 грн
56+224.89 грн
100+215.86 грн
200+188.76 грн
500+159.01 грн
1000+154.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTL RGS50NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTL RGS50NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.