RGS50NL65HRBTL

RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGS50NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+146.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns, Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 31 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 206 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS50NL65HRBTL за ціною від 124.16 грн до 416.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL Виробник : ROHM rgs50nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.87 грн
500+159.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.83 грн
10+240.48 грн
25+227.32 грн
100+184.89 грн
250+175.40 грн
500+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.74 грн
10+248.50 грн
25+186.59 грн
100+152.29 грн
250+135.83 грн
500+125.54 грн
1000+124.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL Виробник : ROHM rgs50nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+381.75 грн
10+253.70 грн
100+180.87 грн
500+159.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs50nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+225.14 грн
60+216.55 грн
100+209.21 грн
250+195.61 грн
500+176.20 грн
1000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs50nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+416.48 грн
37+349.03 грн
50+329.76 грн
100+296.30 грн
500+223.69 грн
1000+183.54 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.