RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 157.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns, Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 31 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 206 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RGS50NL65HRBTL за ціною від 138.52 грн до 403.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS50NL65HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 206W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGS50NL65HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 206 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGS50NL65HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 206W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS50NL65HRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification. |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RGS50NL65HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RGS50NL65HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|