RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor


rgs50tsx2-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+503.23 грн
30+481.61 грн
50+463.26 грн
100+431.55 грн
250+387.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N, Power - Max: 395 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 67 nC, Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGS50TSX2GC11 за ціною від 305.18 грн до 653.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor rgs50tsx2-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.23 грн
30+481.61 грн
50+463.26 грн
100+431.55 грн
250+387.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor rgs50tsx2-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+564.56 грн
30+478.52 грн
50+364.20 грн
100+350.05 грн
200+305.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS50TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.25 грн
30+369.27 грн
120+312.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS50TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 ROHM rgs50tsx2-e.pdf Description: ROHM - RGS50TSX2GC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 rgs50tsx2-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+503.23 грн
30+481.61 грн
50+463.26 грн
100+431.55 грн
250+387.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 rgs50tsx2-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+564.56 грн
30+478.52 грн
50+364.20 грн
100+350.05 грн
200+305.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 datasheet?p=RGS50TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+653.25 грн
30+369.27 грн
120+312.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 datasheet?p=RGS50TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11 rgs50tsx2-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS50TSX2GC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.