Продукція > ROHM > RGS80NL65HRBTL
RGS80NL65HRBTL

RGS80NL65HRBTL ROHM


rgs80nl65hrbtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+251.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80NL65HRBTL ROHM

Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO-263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 288 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS80NL65HRBTL за ціною від 168.41 грн до 519.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.09 грн
10+288.83 грн
100+208.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS80NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.20 грн
10+319.42 грн
100+201.13 грн
500+198.74 грн
1000+168.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Виробник : ROHM rgs80nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.30 грн
10+347.40 грн
100+251.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+298.92 грн
46+286.08 грн
50+275.17 грн
100+256.35 грн
250+230.16 грн
500+214.94 грн
1000+209.68 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+427.72 грн
36+362.85 грн
50+275.99 грн
100+265.07 грн
200+231.69 грн
500+195.10 грн
1000+190.38 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.