Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS80NL65HRBTL
RGS80NL65HRBTL

RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.46 грн
10+255.66 грн
100+184.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO-263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 288 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS80NL65HRBTL за ціною від 154.31 грн до 470.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS80NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+443.67 грн
10+292.68 грн
100+184.29 грн
500+182.10 грн
1000+154.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL ROHM rgs80nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL ROHM rgs80nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.00 грн
46+314.87 грн
50+302.87 грн
100+282.15 грн
250+253.33 грн
500+236.58 грн
1000+230.79 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.77 грн
36+399.38 грн
50+303.77 грн
100+291.75 грн
200+255.01 грн
500+214.73 грн
1000+209.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGS80NL65HRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS80NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.67 грн
10+292.68 грн
100+184.29 грн
500+182.10 грн
1000+154.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL rgs80nl65hrbtl-e.pdf
RGS80NL65HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL rgs80nl65hrbtl-e.pdf
RGS80NL65HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL rgs80nl65hrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+329.00 грн
46+314.87 грн
50+302.87 грн
100+282.15 грн
250+253.33 грн
500+236.58 грн
1000+230.79 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80NL65HRBTL rgs80nl65hrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+470.77 грн
36+399.38 грн
50+303.77 грн
100+291.75 грн
200+255.01 грн
500+214.73 грн
1000+209.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.