на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 656.97 грн |
| 10+ | 483.18 грн |
| 25+ | 412.18 грн |
| 100+ | 310.58 грн |
| 450+ | 282.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції RGS80TS65DHRC11 за ціною від 273.85 грн до 679.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS80TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 73 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 272 W |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| RGS80TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |