RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.93 грн |
| 30+ | 313.39 грн |
| 120+ | 288.06 грн |
| 510+ | 256.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції RGS80TS65DHRC11 за ціною від 290.17 грн до 675.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS80TS65DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGS80TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |