RGS80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 557.2 грн |
| 10+ | 471.32 грн |
| 25+ | 371.32 грн |
| 100+ | 340.76 грн |
| 250+ | 321.5 грн |
| 450+ | 300.91 грн |
| 900+ | 270.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3, Case: TO247-3, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 40A, Pulsed collector current: 120A, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 291ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 136W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 48nC, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RGS80TS65DHRC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RGS80TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 62ns Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 136W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
.jpg "RGS80TS65DHRC11") |
RGS80TS65DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N |
товар відсутній |
|
| RGS80TS65DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 62ns Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 136W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Mounting: THT |
товар відсутній |