Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS80TS65HRC11
RGS80TS65HRC11

RGS80TS65HRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS80TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.35 грн
30+343.40 грн
120+307.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80TS65HRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 272 W.

Інші пропозиції RGS80TS65HRC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGS80TS65HRC11 RGS80TS65HRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65HRC11 RGS80TS65HRC11 ROHM rgs80ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGS80TS65HRC11 - IGBT-Einzeltransistor, 73A, 1.65V, 650V, TO-247N, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 73A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65HRC11 datasheet?p=RGS80TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS80TS65HRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65HRC11 rgs80ts65hr-e.pdf
RGS80TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS80TS65HRC11 - IGBT-Einzeltransistor, 73A, 1.65V, 650V, TO-247N, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 73A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.