RGS80TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 588.68 грн |
| 25+ | 498.67 грн |
| 50+ | 465.56 грн |
| 100+ | 431.97 грн |
| 200+ | 386.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 198 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції RGS80TSX2DGC11 за ціною від 465.30 грн до 1036.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGS80TSX2DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS80TSX2DGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS80TSX2DGC11 - IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS80TSX2DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 198 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 104 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS80TSX2DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|