RGS80TSX2DHRC11

RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor


rgs80tsx2dhr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+719.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 198 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.

Інші пропозиції RGS80TSX2DHRC11 за ціною від 428.94 грн до 1198.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS80TSX2DHRC11 RGS80TSX2DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgs80tsx2dhr-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+784.59 грн
25+748.36 грн
50+718.25 грн
100+668.18 грн
250+599.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2DHRC11 RGS80TSX2DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 198 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.05 грн
30+545.74 грн
120+469.00 грн
510+428.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2DHRC11 RGS80TSX2DHRC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+983.24 грн
10+589.88 грн
100+447.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2DHRC11 RGS80TSX2DHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgs80tsx2dhr-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1198.74 грн
18+720.97 грн
50+628.69 грн
100+597.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.