RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 805.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 198 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції RGS80TSX2DHRC11 за ціною від 497.84 грн до 1342.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGS80TSX2DHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 198 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 104 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N |
на замовлення 178 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RGS80TSX2DHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGS80TSX2DHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 878.84 грн |
| 25+ | 838.27 грн |
| 50+ | 804.53 грн |
| 100+ | 748.45 грн |
| 250+ | 671.51 грн |
| RGS80TSX2DHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 198 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 198 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 987.39 грн |
| 30+ | 579.29 грн |
| 120+ | 497.84 грн |
| RGS80TSX2DHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N
IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N
на замовлення 178 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1097.38 грн |
| 10+ | 659.35 грн |
| 100+ | 517.41 грн |
| RGS80TSX2DHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1342.74 грн |
| 18+ | 807.58 грн |
| 50+ | 704.21 грн |
| 100+ | 669.75 грн |