RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 724.35 грн |
| 25+ | 690.91 грн |
| 50+ | 663.10 грн |
| 100+ | 616.88 грн |
| 250+ | 553.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 198 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції RGS80TSX2DHRC11 за ціною від 473.33 грн до 1110.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 198 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 104 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 1200V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TSX2DHR is a highly reliable IGBT for the general inverter for automotive and industrial. |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |