RGS80TSX2GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 559.48 грн |
| 30+ | 365.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TSX2GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції RGS80TSX2GC11 за ціною від 457.10 грн до 593.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS80TSX2GC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RGS80TSX2GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGS80TSX2GC11 - IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGS80TSX2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 593.66 грн |
| 25+ | 568.15 грн |
| 50+ | 546.50 грн |
| 100+ | 509.10 грн |
| 250+ | 457.10 грн |
| RGS80TSX2GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGS80TSX2GC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGS80TSX2GC11 - IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGS80TSX2GC11 - IGBT, 80 A, 1.7 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)