Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11

RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor

rgs80tsx2hr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+570.30 грн
25+545.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.

Інші пропозиції RGS80TSX2HRC11 за ціною від 416.86 грн до 903.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGS80TSX2HRC11 RGS80TSX2HRC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 1200V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TSX2HR is a highly reliable IGBT for automotive inverter, heater.
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.24 грн
10+831.34 грн
25+454.29 грн
100+416.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2HRC11 RGS80TSX2HRC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.45 грн
30+522.17 грн
120+445.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TSX2HRC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.