RGSX5TS65EGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 296.28 грн |
| 5+ | 295.45 грн |
| 10+ | 294.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGSX5TS65EGC11 ROHM
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 116 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns, Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 114 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 404 W.
Інші пропозиції RGSX5TS65EGC11 за ціною від 182.94 грн до 407.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGSX5TS65EGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 116 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Current - Collector (Ic) (Max): 114 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 404 W |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGSX5TS65EGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 8?s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
товару немає в наявності |