Продукція > ROHM > RGSX5TS65EGC11

RGSX5TS65EGC11 ROHM


rgsx5ts65e-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 114A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+328.60 грн
5+322.16 грн
10+315.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGSX5TS65EGC11 ROHM

Description: IGBT TRENCH FS 650V 114A TO-247N, Power - Max: 404 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 114 A, Gate Charge: 79 nC, Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Reverse Recovery Time (trr): 116 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGSX5TS65EGC11 за ціною від 164.28 грн до 365.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGSX5TS65EGC11 RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGSX5TS65E&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 114A TO-247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
30+198.26 грн
120+164.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65EGC11 datasheet?p=RGSX5TS65E&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 114A TO-247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.79 грн
30+198.26 грн
120+164.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.