RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 277 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 475.87 грн |
| 30+ | 261.53 грн |
| 120+ | 218.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 277 W.
Інші пропозиції RGT00TS65DGC11 за ціною від 209.26 грн до 515.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N |
на замовлення 274 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| RGT00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 85A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 94nC Turn-on time: 42ns Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGT00TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
на замовлення 274 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 515.88 грн |
| 10+ | 290.09 грн |
| 100+ | 210.21 грн |
| RGT00TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 312.94 грн |
| 30+ | 249.92 грн |
| 50+ | 242.30 грн |
| 100+ | 235.52 грн |
| 200+ | 209.26 грн |