RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.50 грн |
| 30+ | 179.09 грн |
| 120+ | 177.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 277 W.
Інші пропозиції RGT00TS65DGC11 за ціною від 183.48 грн до 363.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT00TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|