RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 928.82 грн |
| 10+ | 624.13 грн |
| 100+ | 471.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 85A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGT00TS65DGC13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs TO247 650V 50A TRNCH |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGT00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGT00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)