RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 62.47 грн |
| 5000+ | 56.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.
Інші пропозиції RGT16BM65DTL за ціною від 54.87 грн до 205.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT16BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT16BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT16BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT16BM65DTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT16BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-252 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT16BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |