Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16BM65DTL
RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.14 грн
5000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.

Інші пропозиції RGT16BM65DTL за ціною від 63.25 грн до 217.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.84 грн
179+79.14 грн
250+75.97 грн
500+70.61 грн
1000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.79 грн
87+163.83 грн
112+127.29 грн
200+115.93 грн
500+93.66 грн
1000+81.94 грн
2000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
10+133.78 грн
100+92.33 грн
500+70.00 грн
1000+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.45 грн
10+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL rgt16bm65d-e.pdf
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+82.84 грн
179+79.14 грн
250+75.97 грн
500+70.61 грн
1000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL rgt16bm65d-e.pdf
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL rgt16bm65d-e.pdf
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+176.79 грн
87+163.83 грн
112+127.29 грн
200+115.93 грн
500+93.66 грн
1000+81.94 грн
2000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.09 грн
10+133.78 грн
100+92.33 грн
500+70.00 грн
1000+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.45 грн
10+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL rgt16bm65d-e.pdf
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.