Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16BM65DTL
RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.

Інші пропозиції RGT16BM65DTL за ціною від 54.43 грн до 204.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.29 грн
179+68.10 грн
250+65.38 грн
500+60.77 грн
1000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.14 грн
87+140.99 грн
112+109.54 грн
200+99.76 грн
500+80.60 грн
1000+70.51 грн
2000+68.95 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.10 грн
10+131.66 грн
100+82.20 грн
500+67.52 грн
1000+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 9390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.03 грн
10+127.13 грн
100+87.69 грн
500+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16bm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.