RGT16NL65DGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGT16NL65DGTL - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.87 грн |
| 10+ | 158.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT16NL65DGTL ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.
Інші пропозиції RGT16NL65DGTL за ціною від 73.35 грн до 238.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT16NL65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT16NL65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT16NL65DGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT16NL65DGTL - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RGT16NL65DGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: IGBT Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Collector current: 8A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Power dissipation: 47W Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
RGT16NL65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| RGT16NL65DGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: IGBT Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Collector current: 8A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Power dissipation: 47W Collector-emitter voltage: 650V |
товару немає в наявності |