Продукція > ROHM > RGT16NS65DGC9
RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9 ROHM

rgt16ns65d-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT16NS65DGC9 - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.34 грн
10+98.21 грн
100+94.08 грн
500+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16NS65DGC9 ROHM

Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.

Інші пропозиції RGT16NS65DGC9 за ціною від 41.41 грн до 135.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+91.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.29 грн
50+62.43 грн
100+55.79 грн
500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor rgt16ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.