RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.00 грн |
| 10+ | 80.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.
Інші пропозиції RGT16NS65DGC9 за ціною від 81.76 грн до 246.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT16NS65DGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT16NS65DGC9 - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-262 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGT16NS65DGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGT16NS65DGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |