Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16NS65DGC9
RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.45 грн
10+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.

Інші пропозиції RGT16NS65DGC9 за ціною від 74.82 грн до 243.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 ROHM datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGT16NS65DGC9 - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
11+79.65 грн
100+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.09 грн
50+117.55 грн
100+106.29 грн
500+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor rgt16ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NS65DGC9
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT16NS65DGC9 - IGBT, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+126.45 грн
11+79.65 грн
100+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 datasheet?p=RGT16NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.09 грн
50+117.55 грн
100+106.29 грн
500+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGC9 rgt16ns65d-e.pdf
RGT16NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.