Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16NS65DGTL
RGT16NS65DGTL

RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor

rgt16ns65d-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+78.94 грн
165+75.41 грн
250+72.39 грн
500+67.28 грн
1000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.

Інші пропозиції RGT16NS65DGTL за ціною від 50.77 грн до 197.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+118.19 грн
111+112.91 грн
250+108.39 грн
500+100.74 грн
1000+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.07 грн
10+113.70 грн
100+77.83 грн
500+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.45 грн
10+125.88 грн
100+75.46 грн
500+60.17 грн
1000+56.05 грн
2000+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt16ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.