RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.45 грн |
| 137+ | 103.67 грн |
| 500+ | 83.23 грн |
| 1000+ | 74.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.
Інші пропозиції RGT16NS65DGTL за ціною від 56.83 грн до 177.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGT16NS65DGTL | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGT16NS65DGTL | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGT16NS65DGTL | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGT16NS65DGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.45 грн |
| RGT16NS65DGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.45 грн |
| 10+ | 110.14 грн |
| 100+ | 75.42 грн |
| 500+ | 56.83 грн |
| RGT16NS65DGTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)