RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 138.52 грн |
| 137+ | 94.82 грн |
| 500+ | 76.12 грн |
| 1000+ | 68.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 94 W.
Інші пропозиції RGT16NS65DGTL за ціною від 45.70 грн до 180.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGT16NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT16NS65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT16NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT16NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 94 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| RGT16NS65DGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 47W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |