Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16TM65DGC9
RGT16TM65DGC9

RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.28 грн
10+149.70 грн
100+92.88 грн
500+76.79 грн
1000+72.33 грн
2000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO-220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 9 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 22 W.

Інші пропозиції RGT16TM65DGC9

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT16TM65DGC9 RGT16TM65DGC9 ROHM datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGT16TM65DGC9 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 22 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16TM65DGC9 datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16TM65DGC9
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT16TM65DGC9 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 22 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.