RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 106 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.23 грн |
| 10+ | 130.66 грн |
| 100+ | 90.30 грн |
| 500+ | 68.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 20A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGT20NL65GTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT20NL65GTL | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGT20NL65GTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RGT20NL65GTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT20NL65GTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT20NL65GTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT20NL65GTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)