RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 78.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263AB, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns, Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 106 W.
Інші пропозиції RGT20NL65GTL за ціною від 61.93 грн до 244.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT20NL65GTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT20NL65GTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT20NL65GTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263AB IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 106 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT20NL65GTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|