RGT20TM65DGC9 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT20TM65DGC9 ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns, Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції RGT20TM65DGC9 за ціною від 157.42 грн до 212.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT20TM65DGC9 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RGT20TM65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| RGT20TM65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 212.15 грн |
| 100+ | 170.57 грн |
| 500+ | 157.42 грн |
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)