Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT20TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns, Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції RGT20TM65DGC9 за ціною від 74.66 грн до 212.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT20TM65DGC9 | ROHM |
 Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220NFM Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RGT20TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RGT20TM65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RGT20TM65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 143.45 грн |
| 50+ | 94.17 грн |
| 100+ | 88.23 грн |
| 300+ | 83.99 грн |
| 500+ | 74.66 грн |
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 212.15 грн |
| 100+ | 170.57 грн |
| 500+ | 157.42 грн |
| RGT20TM65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)