Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT20TM65DGC9
RGT20TM65DGC9

RGT20TM65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 10A IGBT Field Stop Trench
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.37 грн
10+ 181.81 грн
100+ 127.54 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 82.37 грн
2500+ 80.38 грн
5000+ 78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT20TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FLD 650V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns, Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 25 W.

Інші пропозиції RGT20TM65DGC9 за ціною від 134.93 грн до 226.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGT20TM65DGC9 RGT20TM65DGC9 Виробник : ROHM rgt20tm65d-e.pdf Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+226.53 грн
10+ 181.07 грн
25+ 170.64 грн
100+ 134.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
RGT20TM65DGC9 RGT20TM65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FLD 650V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 25 W
товар відсутній