Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT30NL65DGTL
RGT30NL65DGTL

RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS, Power - Max: 133 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Gate Charge: 32 nC, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: LPDS, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RGT30NL65DGTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL ROHM rgt30nl65d-e.pdf Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL ROHM rgt30nl65d-e.pdf Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL rgt30nl65d-e.pdf
RGT30NL65DGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL rgt30nl65d-e.pdf
RGT30NL65DGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.