RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorIGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.49 грн |
| 50+ | 109.14 грн |
| 100+ | 91.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 133 W.
Інші пропозиції RGT30NS65DGC9 за ціною від 82.64 грн до 272.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT30NS65DGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 133 W |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|