RGT30NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.09 грн |
| 50+ | 127.84 грн |
| 100+ | 115.82 грн |
| 500+ | 97.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT30NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 133 W.
Інші пропозиції RGT30NS65DGC9 за ціною від 98.35 грн до 308.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT30NS65DGC9 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 889 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RGT30NS65DGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.30 грн |
| 10+ | 154.54 грн |
| 100+ | 121.62 грн |
| 500+ | 102.85 грн |
| 1000+ | 101.35 грн |
| 2000+ | 99.10 грн |
| 5000+ | 98.35 грн |