Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT30NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.65 грн
10+134.17 грн
100+92.82 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 133 W.

Інші пропозиції RGT30NS65DGTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT30NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL ROHM rgt30ns65d-e.pdf Description: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTL datasheet?p=RGT30NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGT30NS65DGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTL rgt30ns65d-e.pdf
RGT30NS65DGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.