RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 32 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.54 грн |
| 50+ | 133.68 грн |
| 100+ | 121.08 грн |
| 500+ | 92.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 32 W.
Інші пропозиції RGT30TM65DGC9
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT30TM65DGC9 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGT30TM65DGC9 | ROHM |
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220NFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGT30TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT30TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)