RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.49 грн |
| 10+ | 125.53 грн |
| 50+ | 89.58 грн |
| 1000+ | 88.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 32 W.
Інші пропозиції RGT30TM65DGC9 за ціною від 44.25 грн до 239.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT30TM65DGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220NFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 32 W |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220NFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 16W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 32nC Mounting: THT Case: TO220NFM Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 16W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 32nC Mounting: THT Case: TO220NFM Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A |
товару немає в наявності |