RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 218.09 грн |
| 100+ | 201.97 грн |
| 250+ | 187.54 грн |
| 500+ | 166.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 161 W.
Інші пропозиції RGT40NL65DGTL за ціною від 104.50 грн до 275.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT40NL65DGTL | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 40 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 161 W |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGT40NL65DGTL | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
RGT40NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
RGT40NL65DGTL | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
RGT40NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT40NL65DGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.09 грн |
| 10+ | 174.09 грн |
| 100+ | 122.68 грн |
| 500+ | 104.50 грн |
| RGT40NL65DGTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT40NL65DGTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT40NL65DGTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT40NL65DGTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)