Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT40NS65DGTL
RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor

rgt40ns65d-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+83.83 грн
2000+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 161 W.

Інші пропозиції RGT40NS65DGTL за ціною від 80.73 грн до 244.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Виробник : ROHM Semiconductor rgt40ns65d-e.pdf IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.63 грн
10+157.83 грн
100+99.81 грн
500+82.93 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt40ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 6965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.52 грн
10+153.66 грн
100+107.07 грн
500+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgt40ns65d-e.pdf RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.