RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 85.21 грн |
| 2000+ | 77.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 161 W.
Інші пропозиції RGT40NS65DGTL за ціною від 82.05 грн до 248.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT40NS65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGT40NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 40 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 161 W |
на замовлення 6965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGT40NS65DGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |