Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT50NL65DGTL
RGT50NL65DGTL

RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 194 W.

Інші пропозиції RGT50NL65DGTL за ціною від 114.86 грн до 294.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.46 грн
10+187.30 грн
100+132.57 грн
500+114.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL ROHM 2818165.pdf Description: ROHM - RGT50NL65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.46 грн
10+187.30 грн
100+132.57 грн
500+114.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL 2818165.pdf
RGT50NL65DGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT50NL65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.