Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT50NS65DGC9
RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT50NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.26 грн
50+159.20 грн
100+144.88 грн
500+112.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 194 W.

Інші пропозиції RGT50NS65DGC9 за ціною від 133.85 грн до 401.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT50NS65DGC9 RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor rgt50ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+401.96 грн
78+182.61 грн
81+175.65 грн
100+163.63 грн
250+146.92 грн
500+137.20 грн
1000+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT50NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 RGT50NS65DGC9 ROHM rgt50ns65d-e.pdf Description: ROHM - RGT50NS65DGC9 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor rgt50ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 rgt50ns65d-e.pdf
RGT50NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+401.96 грн
78+182.61 грн
81+175.65 грн
100+163.63 грн
250+146.92 грн
500+137.20 грн
1000+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 datasheet?p=RGT50NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NS65DGC9
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 rgt50ns65d-e.pdf
RGT50NS65DGC9
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT50NS65DGC9 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 rgt50ns65d-e.pdf
RGT50NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.