RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.22 грн |
| 10+ | 172.27 грн |
| 100+ | 131.16 грн |
| 500+ | 112.53 грн |
| 1000+ | 108.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGT50NS65DGC9 за ціною від 112.67 грн до 402.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50NS65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT50NS65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT50NS65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT50NS65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 319.97 грн |
| 50+ | 159.55 грн |
| 100+ | 145.21 грн |
| 500+ | 112.67 грн |
| RGT50NS65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 402.85 грн |
| 78+ | 183.02 грн |
| 81+ | 176.04 грн |
| 100+ | 164.00 грн |
| 250+ | 147.24 грн |
| 500+ | 137.51 грн |
| 1000+ | 134.14 грн |
| RGT50NS65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)