RGT50NS65DGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 186.60 грн |
| 10+ | 144.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50NS65DGTL ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGT50NS65DGTL за ціною від 114.82 грн до 330.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RGT50NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
товару немає в наявності |