RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.91 грн |
| 50+ | 166.62 грн |
| 100+ | 151.46 грн |
| 500+ | 117.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 47 W.
Інші пропозиції RGT50TM65DGC9 за ціною від 111.79 грн до 338.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50TM65DGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|