RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.27 грн |
| 50+ | 162.01 грн |
| 100+ | 147.25 грн |
| 500+ | 113.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM, Mounting: SMD, Power dissipation: 23W, Gate charge: 49nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 75A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Case: TO220NFM, Turn-off time: 210ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 13A, Collector-emitter voltage: 650V.
Інші пропозиції RGT50TM65DGC9 за ціною від 117.01 грн до 354.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50TM65DGC9 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 925 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RGT50TM65DGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.08 грн |
| 10+ | 179.98 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
| 500+ | 117.01 грн |