RGT50TS65DGC11

RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor


rgt50ts65d-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.78 грн
30+149.23 грн
120+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 174 W.

Інші пропозиції RGT50TS65DGC11 за ціною від 152.65 грн до 303.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Виробник : ROHM Semiconductor rgt50ts65d-e-1872040.pdf IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.96 грн
10+251.51 грн
25+206.23 грн
100+176.87 грн
250+167.33 грн
450+157.06 грн
900+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgt50ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgt50ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.