Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT50TS65DGC13
RGT50TS65DGC13

RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt50ts65dgc13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+219.05 грн
71+200.90 грн
100+196.06 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 65 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 174 W.

Інші пропозиції RGT50TS65DGC13 за ціною від 193.12 грн до 816.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.58 грн
10+500.62 грн
100+373.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+816.53 грн
10+555.08 грн
100+360.54 грн
600+356.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 ROHM rgt50ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt50ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+753.58 грн
10+500.62 грн
100+373.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+816.53 грн
10+555.08 грн
100+360.54 грн
600+356.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 rgt50ts65dgc13-e.pdf
RGT50TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 rgt50ts65dgc13-e.pdf
RGT50TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.