RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 217.59 грн |
| 71+ | 199.56 грн |
| 100+ | 194.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 174 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Part Status: Active, Gate Charge: 49 nC, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A.
Інші пропозиції RGT50TS65DGC13 за ціною від 372.02 грн до 750.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247GReverse Recovery Time (trr): 58 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 174 W Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Part Status: Active Gate Charge: 49 nC Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247G Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGT50TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RGT50TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - Verlustleistung: 174W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RGT50TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT50TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 750.89 грн |
| 10+ | 498.47 грн |
| 100+ | 372.02 грн |
| RGT50TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT50TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT50TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)