RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 188.16 грн |
| 71+ | 172.57 грн |
| 100+ | 168.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 174 W.
Інші пропозиції RGT50TS65DGC13 за ціною від 354.32 грн до 838.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGT50TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 174 W |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGT50TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGT50TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |