Продукція > RGT > RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

rgt60ts65d-e.pdf
Код товару: 174167
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RGT60TS65DGC11 за ціною від 131.86 грн до 329.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 ROHM rgt60ts65d-e.pdf Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.94 грн
10+202.96 грн
100+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 ROHM Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+214.35 грн
100+131.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 rgt60ts65d-e.pdf
RGT60TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 rgt60ts65d-e.pdf
RGT60TS65DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+289.94 грн
10+202.96 грн
100+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 rgt60ts65d-e.pdf
RGT60TS65DGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+329.41 грн
10+214.35 грн
100+131.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.