Продукція > RGT > RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

rgt60ts65d-e.pdf
Код товару: 174167
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RGT60TS65DGC11 за ціною від 132.82 грн до 331.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Виробник : ROHM rgt60ts65d-e.pdf Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.07 грн
10+204.45 грн
100+200.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Виробник : ROHM Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.83 грн
10+215.92 грн
100+132.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor 13rgt60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgt60ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.