Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT60TS65DGC13
RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt60ts65dgc13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+272.99 грн
54+262.59 грн
100+253.68 грн
250+237.20 грн
500+213.65 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G, Power - Max: 194 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Part Status: Active, Gate Charge: 58 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGT60TS65DGC13 за ціною від 362.00 грн до 869.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.92 грн
50+506.38 грн
100+481.31 грн
600+463.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.09 грн
10+483.69 грн
100+362.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+869.83 грн
24+602.28 грн
50+486.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM rgt60ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+511.92 грн
50+506.38 грн
100+481.31 грн
600+463.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+726.09 грн
10+483.69 грн
100+362.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+869.83 грн
24+602.28 грн
50+486.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT60TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.