Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT60TS65DGC13
RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt60ts65dgc13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+274.81 грн
54+264.34 грн
100+255.37 грн
250+238.78 грн
500+215.08 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 52 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.

Інші пропозиції RGT60TS65DGC13 за ціною від 166.71 грн до 875.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+515.34 грн
50+509.76 грн
100+484.53 грн
600+466.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.06 грн
10+525.72 грн
100+393.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+854.92 грн
10+583.67 грн
100+379.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+875.64 грн
24+606.30 грн
50+490.02 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM rgt60ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+515.34 грн
50+509.76 грн
100+484.53 грн
600+466.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+789.06 грн
10+525.72 грн
100+393.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT60TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+854.92 грн
10+583.67 грн
100+379.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+875.64 грн
24+606.30 грн
50+490.02 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.