RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 234 W.
Інші пропозиції RGT80TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT80TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench |
товару немає в наявності |