Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt80ts65dgc13-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+815.77 грн
10+627.20 грн
100+516.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 236 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 234 W.

Інші пропозиції RGT80TS65DGC13 за ціною від 218.70 грн до 1148.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt80ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+815.77 грн
23+627.20 грн
100+516.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.11 грн
10+559.22 грн
100+420.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 594 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+906.11 грн
10+620.68 грн
100+409.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt80ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+1148.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 ROHM rgt80ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+278.18 грн
30+218.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 rgt80ts65dgc13-e.pdf
RGT80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+815.77 грн
23+627.20 грн
100+516.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+836.11 грн
10+559.22 грн
100+420.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT80TS65DGC13
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 594 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+906.11 грн
10+620.68 грн
100+409.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 rgt80ts65dgc13-e.pdf
RGT80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+1148.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 rgt80ts65dgc13-e.pdf
RGT80TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+278.18 грн
30+218.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.