RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 74+ | 164.50 грн |
| 79+ | 155.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 236 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 234 W.
Інші пропозиції RGT80TS65DGC13 за ціною від 300.50 грн до 628.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT80TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGT80TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 236 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 234 W |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGT80TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RGT80TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |