RGT8BM65DGTL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.98 грн |
| 10+ | 96.39 грн |
| 100+ | 65.36 грн |
| 500+ | 48.88 грн |
| 1000+ | 44.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT8BM65DGTL1 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-252GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 62 W.
Інші пропозиції RGT8BM65DGTL1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT8BM65DGTL1 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGT8BM65DGTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252GE Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RGT8BM65DGTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252GE Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT8BM65DGTL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
IGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGT8BM65DGTL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGT8BM65DGTL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)