RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.64 грн |
| 10+ | 131.39 грн |
| 100+ | 91 грн |
| 250+ | 87.02 грн |
| 500+ | 76.39 грн |
| 1000+ | 65.5 грн |
| 2500+ | 60.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252, Case: TO252, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 8A, Pulsed collector current: 12A, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 158ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 31W, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 13.5nC, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RGT8BM65DTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RGT8BM65DTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Case: TO252 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 13.5nC Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
RGT8BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
товар відсутній |
|
|
|
RGT8BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
товар відсутній |
|
| RGT8BM65DTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Case: TO252 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 13.5nC Mounting: SMD |
товар відсутній |