RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.86 грн |
| 10+ | 133.43 грн |
| 100+ | 106.18 грн |
| 500+ | 84.32 грн |
| 1000+ | 71.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-252, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 62 W.
Інші пропозиції RGT8BM65DTL за ціною від 65.86 грн до 240.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT8BM65DTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RGT8BM65DTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGT8BM65DTL SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
RGT8BM65DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: TO-252 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 13.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 62 W |
товару немає в наявності |