RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.74 грн |
| 50+ | 46.34 грн |
| 100+ | 41.29 грн |
| 500+ | 30.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції RGT8NS65DGC9 за ціною від 62.64 грн до 107.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT8NS65DGC9 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
RGT8NS65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGT8NS65DGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 107.12 грн |
| 10+ | 62.64 грн |
| RGT8NS65DGC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)