Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTH00TK65DGC11
RGTH00TK65DGC11

RGTH00TK65DGC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTH00TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 225 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.06 грн
30+166.45 грн
120+136.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH00TK65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 225 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 72 W.

Інші пропозиції RGTH00TK65DGC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH00TK65DGC11 RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH00TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11 RGTH00TK65DGC11 ROHM 2818172.pdf Description: ROHM - RGTH00TK65DGC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11 datasheet?p=RGTH00TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH00TK65DGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65DGC11 2818172.pdf
RGTH00TK65DGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TK65DGC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.