RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 283.74 грн |
| 30+ | 149.82 грн |
| 120+ | 122.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 72W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-3PFM, Dauerkollektorstrom: 35A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGTH00TK65GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH00TK65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 72W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PFM Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH00TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH00TK65GC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 72W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 72W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)