RGTH00TS65DGC13 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.56 грн
10+358.05 грн
100+227.81 грн
600+222.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTH00TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G, Power - Max: 277 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Gate Charge: 94 nC, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 54 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ).

Інші пропозиції RGTH00TS65DGC13 за ціною від 259.21 грн до 542.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.09 грн
10+354.27 грн
100+259.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+542.09 грн
10+354.27 грн
100+259.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.