RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 540.89 грн |
| 10+ | 353.48 грн |
| 100+ | 258.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGTH00TS65DGC13 за ціною від 483.71 грн до 718.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RGTH00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RGTH00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGTH00TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 709.66 грн |
| RGTH00TS65DGC13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 718.49 грн |
| 50+ | 492.19 грн |
| 100+ | 483.71 грн |
| RGTH00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)