RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.91 грн |
| 10+ | 307.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, Verlustleistung: 277, Anzahl der Pins: 3, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RGTH00TS65GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65GC11 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGTH00TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
RGTH00TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGTH00TS65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGTH00TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH00TS65GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)