RGTH00TS65GC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 85A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.92 грн |
| 30+ | 95.55 грн |
| 120+ | 80.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH00TS65GC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 85A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 277 W.
Інші пропозиції RGTH00TS65GC13 за ціною від 234.26 грн до 293.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65GC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RGTH00TS65GC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RGTH00TS65GC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |